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近日

廈門(mén)火炬高新區(qū)企業(yè)瀚天天成

依托研發(fā)團(tuán)隊(duì)的自主技術(shù)攻堅(jiān)

成功開(kāi)發(fā)出

全球首款

12英寸高質(zhì)量碳化硅外延晶片

這一突破

不僅能顯著提高

下游功率器件的生產(chǎn)效率

更將大幅降

低碳化硅芯片的單位制造成本

為碳化硅產(chǎn)業(yè)規(guī)模化、低成本應(yīng)用

奠定關(guān)鍵基礎(chǔ)

第三代半導(dǎo)體碳化硅比第一代硅半導(dǎo)體擁有更優(yōu)的高頻、高壓、高溫能力，能夠?qū)崿F(xiàn)系統(tǒng)更低的能耗、更小的體積和重量，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、AI電源、軌道交通、智能電網(wǎng)及航空航天等領(lǐng)域。

相較于當(dāng)前主流的150mm（6英寸）碳化硅外延晶片，以及尚處產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)階段的200mm（8英寸）晶片，300mm（12英寸）晶片憑借直徑的顯著擴(kuò)容，在相同生產(chǎn)工序下，單片可承載的芯片（器件）數(shù)量實(shí)現(xiàn)大幅提升——較6英寸晶片提升至4.4倍，較8英寸晶片提升至2.3倍。

目前，瀚天天成已啟動(dòng)12英寸碳化硅外延晶片的批量供應(yīng)籌備工作，產(chǎn)品在關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)優(yōu)異：外延層厚度不均勻性控制在3%以內(nèi)，摻雜濃度不均勻性≤8%，2mm×2mm芯片良率大于96%，可充分滿足下游功率器件領(lǐng)域的高可靠性應(yīng)用需求。

據(jù)悉，瀚天天成是中國(guó)首家實(shí)現(xiàn)商業(yè)化3英寸、4英寸、6英寸碳化硅外延晶片批量供應(yīng)的生產(chǎn)商。根據(jù)灼識(shí)咨詢研報(bào)，公司2023年已成為全球最大規(guī)模的碳化硅外延晶片供應(yīng)商，2024年全球市場(chǎng)份額超31%。

（圖片來(lái)源：福建日?qǐng)?bào)）